삼성은 내년에 3nm 칩 양산 시작

TSMC 다음으로 세계에서 두 번째로 큰 독립 파운드리 인 Samsung Foundry는 다음과 같이 3nm 공정 노드를 일부 변경했습니다. 아난드 테크. 3nm 공정으로 생산되는 삼성 파운드리의 첫 번째 칩인 3GAE (3nm Gate-All-Around Early)는 평소보다 1 년 늦게 양산 될 예정이다. 또한 3GAE가 내부 용도로만 생산 될 수 있다는 삼성의 로드맵에서 제거되었습니다.

삼성 전자 관계자는“3GAE 공정을 위해 고객과 협의 해 왔으며 2022 년 3GAE 양산을 기대하고있다”고 말했다. 3GAE의 후계자 인 3GAP 노드 (3nm Gate-All-Around Plus)는 2023 년 양산이 시작될 것으로 예상되기 때문에 여전히 로드맵에 있습니다. 위 로드맵은 중국의 Foundry Forum 2021에서 공개되었습니다. Samsung Foundry는 업데이트 된 기술 로드맵을 제공 한 후 Baidu와 Weibo에 다시 게시했습니다.

레거시 FinFET 트랜지스터 아키텍처를 사용하는 칩의 경우 삼성은 각각 2021 년과 2022 년을위한 대규모 제조 배치로 로드맵에 5LPP와 4LPP를 추가했습니다. 언제 삼성 2019 년 5 월 3GAE 및 3GAP 노드를 공개하고 현재 이전 세대 프로세스 노드 인 7LPP에 비해 성능이 35 % 향상되고 전력 소비가 50 % 감소 할 것이라고 발표했습니다.

며칠 전 삼성 파운드리는 GAA (Gate-All-Around) 트랜지스터 아키텍처를 사용하는 3nm 칩을 등록했습니다. 칩을 꺼내는 것은 설계주기의 마지막 작업으로, 두 가지 결과 중 하나를 가져옵니다. 칩 설계가 작동하는지 여부입니다. 후자의 경우 사소한 점검이 필요하거나 설계 점검이 필요할 수 있습니다.